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    CSD17501Q5A
    • 品牌: TI
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    • 交期: 5-7天
    • 递增量: 1
    • 封装: VSONP-8
    • 最小包数量: 2500
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    • 商品属性
    制造商 TI
    产品类别 N通道MOSFET
    系列 NexFET™
    包装 卷带
    FET 类型 N 通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 30 V
    25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100A(Tc)
    驱动电压(最大 Rds On、最小 Rds On) 4.5V、10V
    不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.9 毫欧 @ 25A、10V
    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.8V @ 250µA
    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 17 nC @ 4.5 V
    Vgs(最大值) ±20V
    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2630 pF @ 15 V
    功率耗散(最大值) 3.2W(Ta)
    工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
    安装类型 SMD/SMT
    封装 VSONP-8
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